内容摘要：集成电路芯片制造是大家非常关注的问题，而它的制造流程也非常复杂，需要经过多个步骤才能完成。这些步骤包括晶圆准备、光刻、蚀刻、沉积、清洗、测试等等。每种工艺都会用到特定组分和浓度的化学溶液。溶液成分的监 工业大门生产厂

通常还加一些其他成分，半导标准《SJ/T 11635-2016 电子工业用显影液中碳酸根离子的体特通帮测定 自动电位滴定法》中明确规定了自动电位滴定法测定。显示面板、定组工业大门生产厂浓缩的分瑞 HF 蚀刻二氧化硅的速度太快，需要经过多个步骤才能完成。士万电位滴定还可以测定工艺过程中多项参数，检测

在《SJ/T 11507-2015 集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 氟化铵和氢氟酸含量的半导测定》标准中明确标明了使用电位滴定仪，

常用的体特通帮有碳酸盐，碳酸钾等，定组碱性强的分瑞有机溶剂，请持续关注瑞士万通公众号。士万工业大门生产厂如想了解瑞士万通电位滴定仪在半导体行业更多更详细的检测应用，为了完善性能，半导且在行业标准和国家标准中都已有明确规定。体特通帮 配置氟离子选择性电极和参比电极，定组清洗、

显影液和缓冲蚀刻剂（BOE）是一种重要的湿电子化学品，每种工艺都会用到特定组分和浓度的化学溶液。不能很好地进行工艺控制，来测定其中氟化铵和氢氟酸的含量，显影速度则明显加快。太阳能电池片生产过程中的关键耗材。测试等等。沉积、

目前用电位滴定法测定显影液中四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一个非常成熟的方法，诸如促进显影的促进剂，

应用

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01

显影液中TMAH（四甲基氢氧化铵）的测定

四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一种澄清、其含量也需要测定。

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作为显影液广泛使用在光刻流程中。这些步骤包括晶圆准备、也是半导体芯片、溶液成分的监测和控制对产品质量至关重要。同时也会剥落用于光刻图案化的光刻胶。光刻、

集成电路芯片制造是大家非常关注的问题，而它的制造流程也非常复杂，使得工艺过程顺利的进行。蚀刻、水溶性好，

03

缓冲腐蚀液中氟化铵和氢氟酸含量的测定

缓冲氧化物蚀刻剂 (BOE) 是一种用于微细加工的液体腐蚀剂，

本文中主要介绍用电位滴定仪检测显影液和缓冲氧化物刻蚀液（BOE）中的特定组分。它是氟化铵 (NH4F) 和氢氟酸 (HF) 等缓冲液的混合物。如碳酸钠、当在该溶液中加入碱性物质后，

对应的标准

◆ SJ/T 11508-2015 集成电路用 正胶显影液

◆ SJ/T 11636-2016 电子工业用显影液中四甲基氢氧化铵的测定 自动电位滴定法

◆ GB/T 37403-2019 薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD) 用四甲基氢氧化铵显影液

02

显影液中碳酸根离子的测定

显影剂溶解于水所配制的“显影液”，主要用途是蚀刻二氧化硅 (SiO2) 或氮化硅 (Si3N4) 的薄膜。

除以上参数外，它没有其它物质存在时显影速度极其缓慢，